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IRF830P-VB
1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF830P-VB
- 商品编号
- C878782
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度达 +175°C —— 适用于高环境温度环境
- 高转换效率
- 低RDS(ON) —— 最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC - Q中所引用），具备高可靠性
- 符合汽车应用标准的产品型号（DMTH8012LPSQ）有单独的数据手册
应用领域
-同步整流器-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器