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MB85RS256BPNF-G-JNERE1

256K (32K × 8) Bit SPI非易失性铁电随机存取存储器

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描述: 256-Kbit(32K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V
品牌名称: RAMXEED/FUJITSU(富士通)
商品型号: MB85RS256BPNF-G-JNERE1
商品编号: C8742
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.314克(g)

商品参数

商品概述

MB85RS256B是一款FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为32768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺形成非易失存储单元。MB85RS256B采用串行外设接口（SPI）。MB85RS256B能够在不使用备用电池的情况下保存数据，而SRAM需要备用电池。MB85RS256B使用的存储单元可进行10^12次读/写操作，读写次数高于Flash存储器和E2PROM。MB85RS256B写入数据不需要像Flash存储器或E2PROM那样长时间，且无等待时间。

商品特性

位配置：32768字×8位
串行外设接口：SPI，对应SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
工作频率：除READ外的所有命令33MHz（最大）；READ命令25MHz（最大）
高耐久性：10^12次/字节
数据保持：10年（+85℃），95年（+55℃），超过200年（+35℃）
工作电源电压：2.7V至3.6V
低功耗：工作电源电流6mA（典型@33MHz），待机电流9μA（典型）
工作环境温度范围：-40℃至+85℃

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)
	接口类型	SPI
	存储容量	256Kbit
	工作电压	2.7V~3.6V
	工作电流	5mA
	时钟频率(fc)	33MHz

	属性	参数值
	待机电流	9uA
	睡眠模式电流(Izz)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	擦写寿命	1000000000000次
	数据保留 - TDR(年)	200年
	功能特性	工作状态指示