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HSP0018A
1个N沟道 耐压:100V 电流:58A
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- 描述
- 是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证单脉冲雪崩能量（EAS），并通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP0018A
- 商品编号
- C845617
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 149W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 268pF |
商品概述
HSP0018A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。 HSP0018A 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 通过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术