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PSMN1R8-40YLC,115实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN1R8-40YLC,115

1个N沟道 耐压:40V 电流:100A

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描述
N沟道,40V,100A,1.8mΩ@4.5V
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN1R8-40YLC,115
商品编号
C88071
商品封装
LFPAK56(PowerSO-8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))1.8mΩ@4.5V,25A
耗散功率(Pd)272W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.45V
栅极电荷量(Qg)45nC@4.5V
输入电容(Ciss)6.68nF@20V
反向传输电容(Crss)310pF@20V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

LFPAK封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和认证,适用于广泛的工业、通信和家用设备。

商品特性

  • 高可靠性Power SO8封装,可在175°C环境下使用
  • 采用NextPower超结技术,针对4.5V栅极驱动进行优化
  • 超低的QG、QGD和QOSS,可在高低负载下实现高系统效率
  • 超低的导通电阻和低寄生电感

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 负载开关
  • 电源“或”功能
  • 服务器电源
  • 同步整流器

数据手册PDF