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STM8L151K6T6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STM8L151K6T6

超低功耗8位MCU,具有32 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM

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描述
特性:工作电源范围:1.8V至3.6V(掉电时低至1.65V)。 温度范围:-40°C至85°C、105°C或125°C。 5种低功耗模式:等待、低功耗运行(5.1μA)、低功耗等待(3μA)、带完整RTC的活动暂停(1.3μA)、暂停(350nA)。 功耗:195μA/MHz + 440μA。 每个I/O超低泄漏:50nA。 从暂停状态快速唤醒:4.7μs
商品型号
STM8L151K6T6
商品编号
C8259
商品封装
LQFP-32(7x7)​
包装方式
托盘
商品毛重
1.269克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核STM8
CPU最大主频16MHz
CPU位数8 Bit
程序存储容量32KB
程序存储器类型FLASH
RAM容量2KB
属性参数值
EEPROM容量1KB
I/O数量30
ADC(位数)12bit
DAC(位数)12bit
振荡器类型内置
工作电压1.8V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

8位超低功耗微控制器,最高32KB闪存,1KB数据EEPROM,具备实时时钟、LCD、定时器、USART、I2C、SPI、ADC、DAC和比较器。

商品特性

  • 工作电源范围1.8V至3.6V(掉电时低至1.65V);温度范围-40℃至85℃、105℃或125℃
  • 5种低功耗模式:等待、低功耗运行(5.1μA)、低功耗等待(3μA)、带完整实时时钟的主动暂停(1.3μA)、暂停(350nA);功耗195μA/MHz +440μA;每个I/O超低泄漏50nA;从暂停模式快速唤醒4.7μs
  • 哈佛架构和3级流水线;最高频率16MHz,峰值16CISC MIPS;最多40个外部中断源
  • 低功耗超安全BOR复位(5个可选阈值);超低功耗POR/PDR;可编程电压检测器(PVD)
  • 1至16MHz晶体振荡器;32kHz晶体振荡器;内部16MHz工厂微调RC;内部38kHz低功耗RC;时钟安全系统
  • BCD日历带闹钟中断;从暂停模式自动唤醒(周期性中断)
  • 最多4×28段LCD带升压转换器
  • 最高32KB闪存程序存储器和1KB带ECC、RWW的数据EEPROM;灵活的读写保护模式;最多2KB RAM
  • 4个DMA通道(支持ADC、DAC、SPI、I2C、USART、定时器);1个通道用于存储器到存储器
  • 12位DAC带输出缓冲
  • 封装类型包括LQFP48、UFQFPN48、UFQFPN28、UFQFPN32、WLCSP28
  • 12位ADC最高1Msps/25通道,带温度传感器和内部参考电压
  • 2个超低功耗比较器:1个带固定阈值,1个轨到轨;具备唤醒能力
  • 两个16位定时器(2通道,用作IC、OC、PWM,正交编码器);一个16位高级控制定时器(3通道,支持电机控制);一个8位定时器(7位预分频器);2个看门狗(1个窗口型,1个独立型);蜂鸣器定时器(1、2或4kHz频率)
  • 同步串行接口(SPI);快速I2C 400kHz SMBus和PMBus;USART(ISO7816接口和IrDA)
  • 最多41个I/O(均可映射到中断向量);最多16个电容感应通道(支持触摸键、接近感应、线性触摸和旋转触摸传感器)
  • 快速片上编程和非侵入式调试(SWIM);使用USART的引导加载程序
  • 96位ID

数据手册PDF