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CJU02N60-VB
1个N沟道 耐压:650V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型场效应晶体管，采用Plannar技术制造，适用于各种电源和电路模块。TO252；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CJU02N60-VB
- 商品编号
- C7568944
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.3Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |