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NCE4963-VB

2个P沟道耐压:20V

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电路保护模块、电机驱动模块等领域。SOP8；2个P—Channel沟道,-20V；-8.9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: NCE4963-VB
商品编号: C7568940
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.135克(g)

商品参数

(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4000个/圆盘

近期成交0单

	属性	参数值
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	16mΩ@10V
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	500mV