MP1918GQE-Z

MP1918GQE-Z

描述

是一款100V半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓（GaN）FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端（HS）和低端（LS）脉冲宽度调制（PWM）输入，为高端驱动器电压提供自举技术，可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出，允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力，可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14（3mmx3mm）封装。

品牌名称

MPS(芯源)

商品型号

MP1918GQE-Z

商品编号

C7545022

商品封装

QFN-14(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)