MP1918GQE-Z

100V高频半桥GaN/MOSFET驱动器

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描述: 是一款100V半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓（GaN）FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端（HS）和低端（LS）脉冲宽度调制（PWM）输入，为高端驱动器电压提供自举技术，可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出，允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力，可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14（3mmx3mm）封装。
品牌名称: MPS(芯源)
商品型号: MP1918GQE-Z
商品编号: C7545022
商品封装: QFN-14(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	20ns
	传播延迟 tpHL	20ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~1.9V
	输入低电平(VIL)	1.5V~1.6V
	静态电流(Iq)	110uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

MP1918是一款100V半桥驱动器，设计用于在半桥或同步应用中驱动增强型氮化镓场效应晶体管或低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。MP1918具有独立的高侧和低侧脉宽调制输入。它还为高侧驱动器电压提供了自举技术，最高工作电压可达100V。新型充电技术可防止高侧驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过氮化镓场效应晶体管的最大栅源电压额定值。MP1918具有两个独立的栅极输出，允许通过向栅极环路添加阻抗来独立调节导通和关断能力。MP1918的工作频率可达数MHz。MP1918采用带有可焊侧面的QFN-14（3×3mm）封装。

商品特性

独立的高侧和低侧TTL逻辑输入
高侧浮动偏置电压轨工作电压高达100V DC
独立的栅极输出，用于可调节的导通和关断能力
内部自举开关电源电压钳位
3.7V至5.5V的VCC电压范围
0.27Ω/1.2Ω下拉/上拉电阻
快速传播时间
优异的传播延迟匹配（典型值1.5ns）
采用带有可焊侧面的QFN-14（3×3mm）封装

应用领域

半桥和全桥转换器
音频D类放大器
同步降压转换器
电源模块

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥；半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	5A
	拉电流(IOH)	1.6A
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	5ns
	下降时间(tf)	3ns