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MDP10N027TH
N沟道 100V 120A
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDP10N027TH
- 商品编号
- C7544797
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9914克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 10.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.05nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
MDP10N027TH采用先进的MOSFET技术，在导通电阻、快速开关性能和质量方面提供高性能。该器件可用于工业应用，例如电动自行车的低功率驱动、DC/DC转换器以及通用应用。
商品特性
- V_DS = 100V
- I_D = 120A @ V_GS = 10V
- 极低的导通电阻 R_DS(ON) < 2.8 mΩ @ V_GS = 10V
- 100% UIL测试
- 100% Rg测试
- TO-220封装