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MDD1051RH
MDD1051RH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDD1051RH
- 商品编号
- C7545025
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
MDD1051采用先进的Magnachip MOSFET技术，具备低导通电阻、快速开关性能和卓越品质。MDD1051适用于服务器同步整流及通用应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 150 V
- 漏极电流(ID) = 28 A(栅源电压VGS = 10 V时)
- 导通电阻RDS(ON)(最大值) < 46.0mΩ(栅源电压VGS = 10 V时)
- 100%经过单脉冲雪崩耐量(UI L)测试
- 100%经过栅极电阻(Rg)测试
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