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WGF18N50SE
500V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 50 nC（典型值）。 VDS = 500V，ID = 18A。 RDS(on)：0.32Ω（最大值）@VG = 10V。 100% 雪崩测试
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF18N50SE
- 商品编号
- C7541383
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品特性
- 低本征电容
- 出色的开关特性
- 扩展的安全工作区
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 50 nC（典型值）
- VDSS = 500V，ID = 18A
- RDS（导通）：在VG = 10V时为0.32Ω（最大值）
- 100%雪崩测试