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SI4164DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFE，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能开关的电路和模块。SOP8；N—Channel沟道,30V；25A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4164DY-T1-E3-VB商品编号
C7525040商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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