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NTB5605PT4G-VB
1个P沟道 耐压:60V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。TO263；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NTB5605PT4G-VB商品编号
C7525002商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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