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ZVN3320FTA-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:1A
描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道功率MOSFET。采用Trench技术制造。该MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，设计用于小电流和高压应用，适用于各种低功耗电子设备和模块。SOT23；N—Channel沟道,200V；0.6A；RDS(ON)=1400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
ZVN3320FTA-VB商品编号
C7525000商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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