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GNP1150TCA-ZE2
氮化镓增强型功率晶体管
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- 描述
- 特性：650V E-mode GaN FET。 150mΩ Resistance。 2.7nC Gate Charge。应用：High switching frequency converter。 High density converter
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- GNP1150TCA-ZE2
- 商品编号
- C7503685
- 商品封装
- DFN8080AK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 8.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 46.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 112pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
商品特性
- 650V增强型氮化镓场效应晶体管
- 150mΩ导通电阻
- 2.7nC栅极电荷
应用领域
- 高频开关转换器
- 高密度转换器
- BM3G007MUV-LBE2
- RF1001NS2DTL
- Si53208-A01AGM
- XC6231A332PR-G
- XC61FN2012MR-G
- 1N5621GP-E3/54
- 135D226X9075C6E3
- 790D226X9016B2BE3
- IHLE4040DDER470M5A
- MMU01020C2742FB300
- TMCP1E104KTRF
- VS-6EWX06FN-M3
- VS-MURB1520TRL-M3
- VS-GT180DA120U
- IL4218-X017
- S8CJHM3/I
- VS-HFA08TA60C-M3
- 1N4948GP-E3/54
- MURS340S-E3/52T
- RGL41B-E3/96
- VJ0805H104KXXAT