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BM3G007MUV-LBE2

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描述: 提供了一种适用于所有需要高功率密度和效率的电子系统的最佳解决方案。通过将650V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到罗姆原有的封装中，与传统的分立解决方案相比，显著降低了由PCB和引线键合引起的寄生电感。因此，可以实现高达150V/ns的高开关转换率。另一方面，可调的栅极驱动强度有助于降低电磁干扰，各种保护和其他附加功能提供了优化的成本和PCB尺寸。该IC设计用于适配主要的现有控制器，因此也可用于替代传统的分立功率开关，如超结MOSFET。
品牌名称: ROHM(罗姆)
商品型号: BM3G007MUV-LBE2
商品编号: C7503690
商品封装: VQFN046V8080
包装方式: 编带
商品毛重: 3.766667克(g)

商品参数

商品概述

该产品保证在工业市场提供长期支持。BM3G007MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了解决方案。通过将650V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到ROHM的原创封装中，与传统的分立解决方案相比，由PCB和引线键合引起的寄生电感被显著降低。因此，可以实现高达150V/ns的高开关转换速率。另一方面，可调的栅极驱动强度有助于降低电磁干扰，各种保护和其他附加功能则优化了成本和PCB尺寸。该集成电路设计用于适配主流现有控制器，因此也可用于替代传统的分立功率开关，例如超级结MOSFET。

商品特性

集成Nano CapTM可选5V LDO输出
面向工业应用的长期支持产品
VDD引脚电压工作范围宽
IN引脚电压工作范围宽
VDD静态电流和工作电流低
传播延迟低
高dv/dt抗扰度
可调栅极驱动强度
电源良好信号输出
VDD欠压锁定保护
热关断保护

应用领域

工业设备
高功率密度电源
高效率需求电源或桥式拓扑

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	20.9A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	数量	1个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-40℃~+105℃
	输出电容(Coss)	49.9pF
	导通电阻(RDS(on))	70mΩ