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ASW65R072EFDA
1个N沟道 耐压:650V 电流:54A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.060Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。应用：软开关升压PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASW65R072EFDA
- 商品编号
- C7494993
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 172W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93.78nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.528nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.08pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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