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STB16NF06LT4-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造。具有高效、稳定和可靠的特性，适用于多种领域的功率电子应用，可满足不同应用场景的需求。TO263；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=10V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STB16NF06LT4-VB商品编号
C7494479商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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