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IRF620STRR-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:6.7A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF620STRR-VB
- 商品编号
- C7494492
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.221克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器-电池供电系统-电源转换电路