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IRFI640GPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管产品，采用Trench技术，适用于需要高电压、高功率和高效率的应用领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；18A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFI640GPBF-VB商品编号
C7494493商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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