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SI7110DN-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:58A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench技术，适合于空间有限的应用场合。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,20V；58A；RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7110DN-T1-GE3-VB商品编号
C7494471商品封装
DFN-8(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.083克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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