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IRF7450TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域。SOP8；N—Channel沟道,200V；3A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7450TRPBF-VB
- 商品编号
- C7494450
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
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