温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VB1204M
1个N沟道 耐压:200V 电流:450mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道功率MOSFET。采用Trench技术制造。该MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，设计用于小电流和高压应用，适用于各种低功耗电子设备和模块。SOT23；N—Channel沟道,200V；0.6A；RDS(ON)=1400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB1204M
- 商品编号
- C7494453
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0264克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 450mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.03W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
相似推荐
其他推荐
- AP20N15AGH-HF-VB
- IPD15N06S2L-64-VB
- IPD30N06S4L-23-VB
- SUD20N10-66L-T1-GE3-VB
- IPB80N04S2-H4-VB
- SI2365EDS-T1-GE3-VB
- IPD85P04P4-07-VB
- SI1317DL-T1-GE3-VB
- IRFR3418TRPBF-VB
- AOD242-VB
- AP15N03GH-HF-VB
- BSS123N-VB
- FQP50N06L-VB
- IRL530NSPBF-VB
- SSM3K124TU-VB
- J304-VB
- XP151A12A2MR-G-VB
- SI7110DN-T1-GE3-VB
- SQD25N06-22L-GE3-VB
- CEM4228&30V-VB
- BSS159N-VB