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FDC2612-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款低功耗、高性能的单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高性能、低功耗的电子设备和模块。SOT23-6；N—Channel沟道,200V；4A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDC2612-VB
- 商品编号
- C7494440
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V；200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
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