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DMG1012T-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMG1012T-7

1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA

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描述
栅极电荷:25nS@10V
品牌名称
KUU
商品型号
DMG1012T-7
商品编号
C7473321
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.025367克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))700mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))900mV
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET:额定电压1.8V
  • 栅源极静电保护:2000V
  • 高端开关
  • 低导通电阻:0.7Ω
  • 低阈值:0.8V(典型值)
  • 快速开关速度:10ns
  • 适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用的S前缀型号
  • 符合RoHS标准
  • 环保电磁兼容性
  • 雾锡(Sn)引脚镀层
  • 重量:约0.002g

应用领域

  • 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
  • 电池供电系统
  • 电源转换电路
  • 负载/电源开关,手机、寻呼机

数据手册PDF