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BLP023N10-T
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- BLP023N10是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术制造，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这是适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用的理想器件。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLP023N10-T
- 商品编号
- C7472700
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 224nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 328pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.715nF |
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