MCT8329A1IREER

MCT8329A 为需要高速运行或极快启动时间的三相无刷直流 (BLDC) 电机应用提供了一款单芯片、免代码的无传感器梯形控制解决方案。该器件提供三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成正确的栅极驱动电压，并通过自举电路增强高端 MOSFET。它还包含一个涓流电荷泵，以支持 100% 的占空比。栅极驱动架构支持高达 1A 源电流和 2A 灌电流的峰值栅极驱动电流。MCT8329A 可由单电源供电，支持 4.5 至 60V 的宽输入电源范围。

无传感器梯形控制可通过非易失性 EEPROM（MCT8329A1I）中的寄存器设置进行高度配置，配置范围从电机启动行为到闭环运行，这使得该器件在配置完成后能够独立运行。电机电流通过集成的电流检测放大器进行检测，该放大器支持单个外部分流电阻。该器件通过 PWM 输入、模拟电压、可变频率方波或 I²C 命令接收速度指令。MCT8329A 集成了大量保护功能，旨在保护器件、电机和系统免受故障事件的影响。

• 集成无传感器电机控制算法的三相 BLDC 栅极驱动器
• 免代码高速梯形控制
• 支持高达 3kHz（电频率）
• 极快的启动时间（< 50ms）
• 快速减速（< 150ms）
• 支持 120° 或 150° 调制，以改善声学性能
• 支持正向和反向风车效应
• 基于模拟、PWM、频率或 I²C 的控制输入
• 可配置的电机启动和停止选项
• 可选的闭环速度或功率控制、开环电压控制
• 支持 5 点可配置参考曲线
• 抗电压浪涌功能可防止过压
• 通过 DACOUT 进行可变监控
• 65V 三相半桥栅极驱动器
• 驱动 3 个高端和 3 个低端 N 沟道 MOSFET，工作电压为 4.5 至 60V
• 支持 100% PWM 占空比
• 基于自举的栅极驱动架构
• 最大峰值源/灌电流为 1A/2A
• 集成电流检测放大器
• 增益可调（5、10、20、40 V/V）
• 低功耗睡眠模式
• 在 V_PVDD = 24V、T_A = 25℃ 时，最大电流为 5μA
• 速度环精度：使用内部时钟时 < 3%
• 支持高达 100kHz 的 PWM 频率
• 精确的 LDO（AVDD）：3.3V ±3%，当 AVDD 连接到 VREG 时支持 50mA
• 独立的驱动器关断路径（DRVOFF）
• 扩频功能以降低 EMI
• 一套集成保护功能
• 电源欠压锁定（UVLO）
• 电机堵转检测（3 种不同类型）
• 过流保护（OCP）
• 热关断（TSD）
• 故障状态指示引脚（nFAULT）
• 可选通过 I²C 接口进行故障诊断

• 无刷直流（BLDC）电机模块
• 无线吸尘器
• 暖通空调鼓风机和通风机
• 家电风扇和泵
• 无线园艺和电动工具、割草机