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F7N60
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- F7N60是一款高压功率MOSFET，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F7N60
- 商品编号
- C7469036
- 商品封装
- ITO-220ABW
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 910mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
F7N60是一款高压功率MOSFET，具备出色的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON) ≤ 1.2Ω，条件为栅源电压VGS = 10V，漏极电流ID = 3.5A
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高耐用性
应用领域
-开关电源-适配器