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F10N60
10A、600V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- F10N60是一款高压功率MOSFET，其设计具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高稳健雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F10N60
- 商品编号
- C7469041
- 商品封装
- ITO-220ABW
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3324克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现极低的单位硅面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种其他领域。
商品特性
- 当VGS = 10V、ID = 5.0A时,RDS(ON) ≤ 1.0 Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高抗扰性
应用领域
-开关电源-适配器
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