温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
F5N50
5A、500V N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- F5N50是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F5N50
- 商品编号
- C7469037
- 商品封装
- ITO-220ABW
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
商品概述
F12N60是一款高压功率MOSFET，具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 2.5A条件下,RDS(ON) ≤ 1.6 Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高抗扰性
应用领域
- 开关电源-适配器