温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGMH603H
停产 1个N沟道 耐压:60V 电流:180A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGMH603H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH603H
- 商品编号
- C7466522
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 222W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.846nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29.5pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |