温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM6015H
1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM6015H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM6015H
- 商品编号
- C7466530
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.699克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V；2.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 173nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.76nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交8单