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AGM16N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM16N65F
- 商品编号
- C7466532
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.581克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.063nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G3K8N15HE采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-低RDS(ON),可最大程度减少传导损耗-低栅极电荷,实现快速开关-低热阻
应用领域
-电子镇流器-电子变压器-开关模式电源
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