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IR2184STRPBF-JSM

700V大电流、高低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: IR2184STRPBF-JSM
商品编号: C7466369
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1108克(g)

商品参数

商品概述

IR2184S是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

商品特性

自举工作的浮动通道最高工作电压为700V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
电机控制dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负压耐受能力达 - 9V
栅极驱动电压：10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值8.9V
欠压锁定负向阈值8.2V

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边；低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	10ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	150uA