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JMTP160P03D
双P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：- 漏源电压（VDS）：-30V。连续漏极电流（ID）：-11A。导通电阻（RDS(ON)）：VGS = -10V时小于17mΩ；VGS = -4.5V时小于27mΩ。先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。无铅产品。应用：- PWM应用。负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP160P03D
- 商品编号
- C7464713
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.13nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 252pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用
- 电源管理
- 负载开关