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JMTQ200P03A
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -30V，ID = -12A。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 34mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTQ200P03A
- 商品编号
- C7464719
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.432nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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