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CJU70N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:70A
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- 描述
- CJU7oN06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rps(on)）。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU70N06
- 商品编号
- C7461919
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.369769克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) ≤ 65 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) ≤ 100 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 静电敏感器件
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统