ADRF5515BCPZN-RL

ADRF5515是一款双通道集成射频前端多芯片模块，专为时分双工（TDD）应用而设计。该器件的工作频率范围为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515采用双通道配置，包含一个级联的两级低噪声放大器（LNA）和一个高功率硅单刀双掷（SPDT）开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz时可实现1.0 dB的低噪声系数和33 dB的高增益，输出三阶截点（OIP3）为32 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA中的一级处于旁路状态，以36 mA的较低电流提供16 dB的增益。在掉电模式下，LNA关闭，器件电流为12 mA。在发射操作中，当射频输入连接到端接引脚（TERM - CHA或TERM - CHB）时，开关的插入损耗低至0.45 dB，可处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（峰均比（PAR）为9 dB），以实现全寿命周期运行。ADRF5515与工作频率范围为2.4 GHz至4.2 GHz的10 W版本ADRF5545A引脚兼容。ADRF5515的射频端口无需任何匹配元件，内部已匹配至50 Ω。天线（ANT）和端接（TERM）端口也采用内部交流耦合。因此，仅接收器端口需要外部直流阻隔电容。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm×6 mm、40引脚LFCSP封装。

• 集成双通道射频前端两级LNA和高功率硅SPDT开关
• 片上偏置和匹配
• 单电源供电
• 增益：高增益模式：3.6 GHz时典型值为33 dB；低增益模式：3.6 GHz时典型值为16 dB
• 低噪声系数：高增益模式：3.6 GHz时典型值为1.0 dB；低增益模式：3.6 GHz时典型值为1.0 dB
• 高隔离度：RXOUT - CHA和RXOUT - CHB：典型值为45 dB；TERM - CHA和TERM - CHB：典型值为60 dB
• 低插入损耗：3.6 GHz时典型值为0.45 dB
• 在TCASE = 105℃时具有高功率处理能力：全寿命周期LTE平均功率（PAR为9 dB）：43 dBm
• 高OIP3（高增益模式）：典型值为32 dBm
• LNA具有掉电模式和低增益模式
• 低电源电流：高增益模式：5 V时典型值为86 mA；低增益模式：5 V时典型值为36 mA；掉电模式：5 V时典型值为12 mA
• 正逻辑控制
• 6 mm×6 mm、40引脚LFCSP封装
• 与10 W版本ADRF5545A引脚兼容

• 无线基础设施
• TDD大规模多输入多输出和有源天线系统
• 基于TDD的通信系统