ADUM4221-1BRIZ

ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221/ADuM4221 - 1均内置重叠保护，并允许调节死区时间。死区时间引脚（DT）和GND₁引脚之间的单个电阻可设置次级侧高端和低端输出之间的死区时间。ADuM4221 - 2没有重叠保护和死区时间控制功能。 如果ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的内部温度超过热关断（TSD）温度，内部热关断功能会将输出置为低电平。因此，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2可在较宽的正或负开关电压范围内对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）/金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）配置的开关特性进行可靠控制。

• 4A峰值电流（<2Ω RDSON_x）
• 2.5V至6.5V逻辑输入电压
• 4.5V至35V输出电源电压
• UVLO VDD1正向阈值：最大2.5V
• VDDA和VDDB正向阈值的多种UVLO选项 A级：最大4.5V B级：最大7.5V C级：最大11.6V
• 精确的时序特性 最大传播延迟44ns
• 可调节死区时间和双输入（ADuM4221）
• 可调节死区时间和单输入（ADuM4221 - 1）
• 无死区时间控制和双输入（ADuM4221 - 2）
• CMOS输入逻辑电平
• 高共模瞬态抗扰度：150kV/μs
• 高结温工作：125℃
• 默认低电平输出
• 安全和法规认证（待审批） 符合UL 1577标准，5700V rms，持续1分钟 CSA组件验收通知5A VDE合格证书DIN V VDE V 0884 - 11：≤849V峰值
• 爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装

• 开关电源
• 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动
• 工业逆变器
• 氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）兼容