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SUD45P03-10-E3
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SUD45P03-10-E3
- 商品编号
- C7436406
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -50 A,RDS(ON) < 14 m Ω(VGS = -10 V 时)
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)
- 采用散热性能良好的优质封装
应用领域
- IRF540NS-JSM
- CEM7350-JSM
- MJ15025-JSM
- RF100M101LO10*16TA-1A1Et
- RG100M330LO8*12TA-1A1Et
- RD010M102LO8*12TH-2A2Et
- RG016M221LO6.3*11TA-1A1Et
- RG016M471LO8*12TA-1A1Et
- RG035M221LO8*12TA-1A1Et
- RD400M6R8LO10*13TH-2A2Et
- RG063M101LO8*12TA-1A1Et
- RF063M221LO10*16TA-1A1Et
- RG063M470LO6.3*11TA-1A1Et
- RC080M151LO10*16TH-2A1Et
- RC010M221LO6.3*11TH-2A1Et
- RC010M681LO8*12TH-2B1Et
- RC400M470LO10*42TH-2B1Et
- RC6R3M331LO6.3*11TH-2B1Et
- RC6R3M471LO6.3*11TH-2B1Et
- RG6R3M471LO6.3*12TA-1B1Et
- RF010M821LO8*12TA-1A1Et