温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CEM7350-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:1.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 场效应管@@场效应管
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- CEM7350-JSM
- 商品编号
- C7436409
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.455nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 100 V,ID = 2.2 A,VGS = 10 V 时 RDS(ON) < 120 m Ω
- P沟道:VDS = -100 V,ID = -1.8 A,VGS = -10 V 时 RDS(ON) < 200 m Ω
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装设计出色,散热性能良好。
其他推荐
- RF100M101LO10*16TA-1A1Et
- RG100M330LO8*12TA-1A1Et
- RD010M102LO8*12TH-2A2Et
- RG016M221LO6.3*11TA-1A1Et
- RG016M471LO8*12TA-1A1Et
- RG035M221LO8*12TA-1A1Et
- RD400M6R8LO10*13TH-2A2Et
- RG063M101LO8*12TA-1A1Et
- RF063M221LO10*16TA-1A1Et
- RG063M470LO6.3*11TA-1A1Et
- RC080M151LO10*16TH-2A1Et
- RC010M221LO6.3*11TH-2A1Et
- RC010M681LO8*12TH-2B1Et
- RC400M470LO10*42TH-2B1Et
- RC6R3M331LO6.3*11TH-2B1Et
- RC6R3M471LO6.3*11TH-2B1Et
- RG6R3M471LO6.3*12TA-1B1Et
- RF010M821LO8*12TA-1A1Et
- RF025M221LO8*12TA-1B1Et
- RG010M331LO6.3*12TA-1A1Et
- 1.5KE24A