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SIHG20N50C-JSM
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SIHG20N50C-JSM
- 商品编号
- C7435520
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.728333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.367nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 用于低导通电阻（RDS(on)）的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
- 静电放电（ESD）保护栅极，人体模型（HBM）2.5KV
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器