- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD25401Q3
P沟道功率MOSFET，超低Qg和Qgd，低热阻、低导通电阻，无铅端子电镀，符合RoHS和无卤要求，SON3.3mmx3.3mm塑料封装
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25401Q3
- 商品编号
- C7433267
- 商品封装
- SON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 560pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
NexFET功率MOSFET旨在最大限度地减少电源转换负载管理应用中的损耗。SON 3 x 3封装在该封装尺寸下具有出色的热性能。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 低RDS(on)
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 3.3mm x 3.3mm塑料封装
应用领域
-DC-DC转换器-电池管理-负载开关-电池保护