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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRD7002K2

2个N沟道 耐压:60V 电流:320mA

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描述
灵敏的控制级触发电流和很低的维持电流。静电保护达2KV
商品型号
BRD7002K2
商品编号
C7429871
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.029233克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)320mA
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@5V
属性参数值
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)700pC@10V
反向传输电容(Crss)5pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

IRF630N是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。

商品特性

  • 快速开关
  • 低Crss
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准的产品

应用领域

  • 高频开关模式电源

数据手册PDF