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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS050N03DP

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
低电阻可最大地降低导电损耗;低栅极电荷,可实现快速切换;低热阻
商品型号
BRCS050N03DP
商品编号
C7429872
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.47324克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))6.7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)85W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)2.03nF
反向传输电容(Crss)163pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品概述

TO-252 塑封封装 N 沟道场效应管。

商品特性

  • 低 RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 低 Crss
  • 快速开关
  • 高频产品

应用领域

  • 低压电路,如汽车电路
  • DC/DC 转换
  • 便携式产品的电源高效转换

数据手册PDF