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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRD2N65

1个N沟道 耐压:650V 电流:2A

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描述
低栅电荷,低反馈电容,开关速度快,用于高效DC/DC转换和功率开关
商品型号
BRD2N65
商品编号
C7429791
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.46448克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))4Ω@10V,1A
属性参数值
耗散功率(Pd)37W
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)420pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

PDFN5*6 封装 N 沟道场效应管。

商品特性

  • 低导通电阻,可最大程度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,可实现快速开关
  • 低热阻

应用领域

  • 电池管理

数据手册PDF