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BRD2N65

1个N沟道 耐压:650V 电流:2A

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描述
低栅电荷,低反馈电容,开关速度快,用于高效DC/DC转换和功率开关
商品型号
BRD2N65
商品编号
C7429791
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.46448克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))4Ω@10V
耗散功率(Pd)37W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
输入电容(Ciss)420pF
反向传输电容(Crss)4.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)35pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

TO-252塑封封装N沟道MOS场效应管。

商品特性

-低栅电荷、低反馈电容、开关速度快。-低栅电荷,低Crss,快速开关。

应用领域

-用于高功率DC/DC转换和功率开关。-这些器件非常适合高效开关型DC/DC转换器和开关模式电源。

数据手册PDF