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TMN2009I
1个N沟道 耐压:20V 电流:7.5A
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- 描述
- N沟道,20V,9A,11mΩ@4.5v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN2009I
- 商品编号
- C7422913
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF@10V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 80A
- 栅源电压VGS = 10V时，典型导通电阻RDS(ON) = 5.0 mΩ
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 经过100%栅极电阻测试
- 环保型
应用领域
- 负载开关-脉宽调制(PWM)