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RN1105MFV,L3F(CT
双极晶体管 硅NPN外延型（带内置偏置电阻）
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- 描述
- 特性：AEC-Q101认证。 超小型封装，适合高密度安装。 集成偏置电阻，减少外部部件数量，可减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供多种电阻值选择，以适应各种电路设计。 与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。 逆变器电路
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1105MFV,L3F(CT
- 商品编号
- C7421319
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 80@10mA,5V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.1V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV | |
| 输入电阻 | 2.2kΩ |
优惠活动
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