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SSM3K35MFV,L3F实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SSM3K35MFV,L3F

1个N沟道 耐压:20V

描述
特性：1.2V驱动低导通电阻：Ron = 20Ω（最大值）(VGS = 1.2V)；Ron = 8Ω（最大值）(VGS = 1.5V)；Ron = 4Ω（最大值）(VGS = 2.5V)；Ron = 3Ω（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM3K35MFV,L3F
商品编号
C7421331
商品封装
VESM​
包装方式
编带
商品毛重
0.010625克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)180mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@4V
耗散功率(Pd)150mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)9.5pF
反向传输电容(Crss)4.1pF
类型N沟道
输出电容(Coss)9.5pF

商品特性

  • 高速开关应用
  • 模拟开关应用
  • 1.2 V驱动
  • 低导通电阻:Ron = 20 Ω(最大值)(@VGS = 1.2 V)
  • Ron = 8 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
  • Ron = 4 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
  • Ron = 3 Ω(最大值)(@VGS = 4.0 V)

应用领域

  • 高速开关应用
  • 模拟开关应用

数据手册PDF

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