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SSM3K35MFV,L3F
1个N沟道 耐压:20V
- 描述
- 特性：1.2V驱动低导通电阻：Ron = 20Ω（最大值）(VGS = 1.2V)；Ron = 8Ω（最大值）(VGS = 1.5V)；Ron = 4Ω（最大值）(VGS = 2.5V)；Ron = 3Ω（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K35MFV,L3F
- 商品编号
- C7421331
- 商品封装
- VESM
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.5pF |
商品特性
- 与传统产品相比，ESD吸收能力有所提高。（工作电阻降低50%）
- 部分产品实现了低工作电阻和低电容，确保了高信号保护性能和信号质量。
- 通过低钳位电压抑制ESD能量
- 适用于高密度贴装，提供多种紧凑型封装。
- 提供从通用型到小封装型的广泛产品线。
- 新开发的新一代工艺显著改善了压降电压特性。
- 提供许多同时实现高电源抑制比（PSRR）和低输出噪声电压特性的产品系列。
- 低电流消耗
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