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SI2328DS-T1-GE3
N沟道，100V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用：DC/DC转换器。 负载开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2328DS-T1-GE3
- 商品编号
- C7420571
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -35℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 漏源极击穿电压（VDSS） = 20 V
- 漏极电流（ID） = 4.5 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 25 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 32 mΩ
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理